RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2765
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link