RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3297
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link