RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2346
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link