RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2316
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link