RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2633
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link