RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3866
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link