RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
69
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1602
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link