RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link