RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link