RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2374
2323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link