RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2231
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link