RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link