RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
43
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link