RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2988
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link