RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3224
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link