RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
75
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
75
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link