RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2978
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link