RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
55
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link