RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3282
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link