RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link