RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3911
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link