RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3097
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link