RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link