RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link