RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
83
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
83
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link