RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
UMAX Technology 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link