RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link