RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link