RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3530
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link