RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1985
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link