RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2570
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link