RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link