RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link