RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3082
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link