RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3488
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link