RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link