RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link