RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link