RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3219
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link