RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
77
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1267
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link