RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3201
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link