RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2371
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link