RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link