RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
51
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link