RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link