RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
58
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link