RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link