RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1981
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link