RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link