RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2361
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link