RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link